碳化硅泵分类及产品介绍

发布时间：

2023/03/06 21:51

碳化硅泵

中，募资数十亿元，投资碳化硅芯片研发及产业化项目，拟建成年产6万片6寸碳化硅晶圆的生产能力。

所谓碳化硅，作为第三代半导体，由于其本身的材料特性，具有更宽的禁带宽度、更高的热导率、更高的击穿电场、更高的电子迁移率等优势，从而表现出良好的耐热性、导热性和耐高压性等，使得其制成的器件具备低能耗、小体积、率等优点。

国内主要从事碳化硅衬底业务的企业主要有、等。国内碳化硅衬底企业已掌握2-6英寸碳化硅衬底的制备技术，并持续扩大投资碳化硅衬底项目。一方面为扩大6英寸碳化硅衬底产能；另一方面为推进8英寸碳化硅衬底的研发，缩小与国际龙头企业的技术差距。据（）统计，截至2021年，全国碳化硅衬底规划投资超300亿元，预计规划年产能达200万片。

合伙人表示：（来源：36氪）

目前，公司的碳化硅功率模块已通过的选型和测试，成功获得产品定点，预计今年年内实现量产。此外，还向、、等多家汽车企业及其车载电机控制器企业送样车规级碳化硅模块，有望进一步加强与整车企业的交流合作。

碳化硅具备高频、、高功率密度等优势，在要求更高功率等级及功率密度的市场上应用前景广阔。受益于光伏、新能源汽车等终端应用市场的快速发展，第三代半导体迎来了重要发展机遇。根据Yole报告，预计截至2025年碳化硅器件市场规模将达到25亿美元以上。

与硅相比，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体具有率、低能耗、散热快等特性，当用于半导体器件中时，第三代半导体器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。

国内布局碳化硅设备的企业主要有、、等。其中，第三代半导体设备已实现批量销售；已开发长晶设备、抛光设备及外延设备，其中6英寸碳化硅外延设备兼容4、6寸碳化硅外延生长，沉积速度、厚度均匀性及浓度均匀性等技术指标已到达先进水平；针对功率模块推出基于STS8200测试平台的PIM专用测试解决方案，现已实现批量装机。

除汽车与光伏外，碳化硅器件还被广泛应用于充电基础设施建设、轨道交通、UPS等许多领域，在这些领域不断发展的同时，也在持续提升器件的渗透率，让成为了各大半导体企业的。

由于碳化硅禁带宽度是硅的3倍，导热率为硅的4-5倍，击穿电压为硅的8倍，电子饱和漂移速率为硅的2倍，在高电压、大功率环境下其性能更加优异，且电流传导效率更高。电动汽车如果采用第三代半导体碳化硅功率模块，可节约电动车整体能耗5%至10%。

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